Conférence IEEE sur les semi-conducteurs les 27 et 28 septembre à Dresde

Les acteurs principaux et les experts de l’industrie des semi-conducteurs se rencontreront les 27 et 28 Septembre 2011 à la « Conférence des Semi-conducteurs Dresde « (SCD), afin de présenter et débattre des derniers développements dans la technologie nanoélectronique, son design, ainsi que les problématiques de packaging, de simulation et de tests.

L’événement prendra la forme de discussions plénières et mettra l’accent sur des présentations techniques des derniers résultats de recherche, de leurs applications, et des défis dans le domaine de la fabrication de plaquettes (wafers), la conception des circuits, l’ingénierie des systèmes, comme des circuits RF (Radio Fréquence). Seront également discutés les technologies d’interconnexion, les développements de circuits d’optique et de photonique, mais également de nouveaux matériaux et méthodes de modélisation et de simulation.

Parmi les nombreux orateurs seront présents les représentants du cluster de pointe saxon « Cool Silicon », dont le projet vise la baisse de consommation énergétique dans les puces électroniques.

Quand ? : 27 et 28 septembre 2011

Où ? : Auditorium de l’Université Technique de Dresde (Saxe), Bergstrasse 64.

Sources :

« IEEE Semiconductor Conference am 27. und 28. September in Dresden », communiqué de Silicon Saxony – 08/09/2011 – http://redirectix.bulletins-electroniques.com/Dfxyw

Rédacteur : Charles Collet, charles.collet@diplomatie.gouv.fr – https://www.science-allemagne.fr