De nouveaux investissements en Allemagne dans le secteur de la microélectronique
L’Union Européenne a lancé le 20 novembre 2015 un programme de financement de projets de recherche et de développement dans le secteur de l’électronique : « les Composants et les Systèmes Électroniques pour le Leadership européen » (ECSEL). Treize projets ont été retenus pour un volume de financement de 650 millions d’euros, et neuf de ces treize projets impliquent l’Allemagne.
La Ministre fédérale de l’Enseignement et de la Recherche (BMBF) Johanna Wanka voit en ces projets l’opportunité pour l’Allemagne et plus largement l’Europe de mieux se positionner par rapport aux États-Unis et à l’Asie dans le secteur de la microélectronique, notamment pour le développement de nouvelles technologies pour l’industrie 4.0, avec des acteurs de poids international sur son territoire. Pour un volume total de 185 millions d’euros de financement, 125 millions sont alloués par l’industrie, tandis que l’Union Européenne et le gouvernement fédéral fournissent les 60 millions restants.
Le Land de Saxe, en pointe dans le domaine de la microélectronique et de la nanoélectronique, a reçu 12 millions d’euros de la part de l’Union Européenne et 6 millions d’euros de la part de l’État fédéral à destination de 21 bénéficiaires. Parmi les projets concernant ce Land, le projet « PRIME » est le plus volumineux. Cinq membres saxons, dont Globalfoundries, font partie du consortium pour développer, en collaboration entre autres avec le Centre de recherche pour la micro- et la nanoélectronique (IMEC) en Belgique, une plateforme technologique pour la fabrication de composants microélectroniques de puissance ultra-faible pour l’Internet des Objets et l’industrie 4.0. Cette plateforme utilisera la technologie de transistors FD-SOI [1] sur le nœud technologique de 22 nm [2]. De plus, Infineon Technologies est le coordinateur du projet de R&D « IoSense » visant la mise en place d’une ligne pilote pour la fabrication de détecteurs et de systèmes de détecteurs pour le secteur de l’Internet des Objets.
Plus d’informations :
[1] Détails à propos de la technologie de transistors FD-SOI sur le site de ST (en anglais): http://www.st.com/web/en/about_st/fd-soi.html .
[2] Le nœud technologique est une mesure de référence pour définir une génération de transistor, correspondant à une dimension caractéristique sur le transistor.
Source : « Erfolg für die Mikroelektronik », communiqué de presse du BMBF, 23/11/2015 – https://www.bmbf.de/de/erfolg-fuer-die-mikroelektronik-2030.html
Rédacteur : Aurélien Gaufrès, aurelien.gaufres[at]diplomatie.gouv.fr – www.science-allemagne.fr